2022年受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲軟影響，芯片行業(yè)整體處于下行周期，2022年末芯片指數(shù)較年初下降27.16%，其中存儲(chǔ)芯片受到的影響最大，2022年末板塊指數(shù)較年初下降32.25%。
2023年初以來(lái)在A(yíng)I算力預(yù)期需求刺激以及國(guó)產(chǎn)替代加速背景下，疊加國(guó)際大廠(chǎng)相繼宣布大幅下調(diào)資本支出對(duì)市場(chǎng)釋放出供給擴(kuò)張減緩信號(hào)，板塊迎來(lái)反彈，存儲(chǔ)板塊指數(shù)從年初至今上漲48.1%，對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)目前所處現(xiàn)狀以及產(chǎn)業(yè)鏈上相關(guān)公司，本文來(lái)分析一下。
資料來(lái)源：wind，鈦媒體產(chǎn)業(yè)研究部
DRAM市場(chǎng)占比高，主要被海外廠(chǎng)商壟斷
存儲(chǔ)芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)對(duì)電子或電荷充放電標(biāo)記不同的存儲(chǔ)狀態(tài)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，根據(jù)斷電后存儲(chǔ)的信息是否保留，存儲(chǔ)芯片分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。
易失性存儲(chǔ)芯片在斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)消失，包括靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）；非易失性存儲(chǔ)芯片在斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍會(huì)保留，包括快閃存儲(chǔ)器（FlashMemory）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）。
其中FlashMemory又分為NORFlash和NANDFlash，NORFlash可以在其上面直接運(yùn)行代碼，讀寫(xiě)速度更快，但容量較小，NANDFlash寫(xiě)入和擦除速度更快，容量較大。
常用的存儲(chǔ)芯片主要包括DRAM、NORFlash和NANDFlash，按出貨量來(lái)看，DRAM市場(chǎng)份額最高，根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年DRAM出貨量市場(chǎng)占比達(dá)到43%，NANDFlash和NORFlash出貨量市場(chǎng)占比分別為30%和9%。
目前存儲(chǔ)芯片主要被國(guó)外廠(chǎng)商壟斷，國(guó)產(chǎn)化率較低，其中DRAM市場(chǎng)目前主要被海外廠(chǎng)商三星、海力士和美光三家壟斷，2021年全球市場(chǎng)份額分別為43%、28%和23%，CR3達(dá)到94%，集中度最高。
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NANDFlash被三星、鎧俠、海力士以及美光等六家廠(chǎng)商壟斷，CR6為93%，其中三星2021年市場(chǎng)份額占34%，排名第一；NORFlash被旺宏和華邦壟斷，2021年兩家全球市場(chǎng)份額之和為52%，兆易創(chuàng)新以18%的市占率排名第三。
