這兩天的美日荷“神秘協(xié)議”，鬧得沸沸揚揚的，而這涉及到一家叫阿斯麥ASML的公司，因為他壟斷了全球中高端光刻機市場，而光刻機又是生產(chǎn)芯片的最關(guān)鍵設(shè)備，因此中國秦剛外長日前同荷蘭副首相兼外交大臣胡克斯特拉通電話，就雙邊關(guān)系等問題深入交換了意見，希望不要受美國脅迫，但很不幸荷蘭政府仍然通知ASML擴大禁售協(xié)議，禁止向中企出售DUV光刻機，光刻機這扇門終究還是對中國關(guān)閉了，同日美國通知相關(guān)廠商全面禁售華為產(chǎn)品，未來的路將越來越難走。

　　廣大網(wǎng)友們憤怒了，罵美國罵日本罵荷蘭，還有一部分人認(rèn)為沒啥，我們很快能自己研發(fā)出來?？伸o下來冷靜思考一下，幾十年的技術(shù)積累不是一朝一夕的，我們要給我們的科研人員足夠的時間和耐心，不吹捧不盲目自大，相信有朝一日我們終能突破技術(shù)限制，造出我們自己的國產(chǎn)光刻機。

　　那人們不禁好奇了，為什么作為一家荷蘭的跨國企業(yè)為啥最終會向美國“屈服”呢？這不得不說光刻機背后的秘密了，因為核心技術(shù)依舊掌握在美國手中，他有一百種辦法對付阿斯麥。

　　當(dāng)前主流光刻機分為深紫外光源(DUV)、極紫外光源（EUV）,一臺EUV光刻機凈重可達180噸，內(nèi)部零件高達10萬件之多，但主要核心部件分為兩個部分：對準(zhǔn)系統(tǒng)和紫外光源。這核心的核心就掌握在美國佬手里，這是基礎(chǔ)技術(shù)的比拼，EUV相比DUV，就是把193nm的短波紫外線替換成了13.5nm的極紫外線，而該光源正是來自于美國的Cymer，13.5nm的極紫外線其實是從193nm的短波紫外線多次反射之后得到的，需要用功率為250的二氧化碳激光去不斷轟擊滴落下來的金屬錫滴液，才能激發(fā)出EUV等離子體，獲得波長更短的光。

 

　　而EUV的光學(xué)元件來自于德國蔡司公司，其中的EUV多層膜反射鏡作為光學(xué)系統(tǒng)的重要元件，成為了EUV光源之后又一項關(guān)鍵技術(shù)，它必須實現(xiàn)EUV波段的高反射率才可以。

 

　　ASML的EUV光刻機工作臺采用的是一種高精度的激光干涉儀，以此進行微動臺的位移測量，構(gòu)建出一個閉環(huán)的控制系統(tǒng)，進而實現(xiàn)納米級的超精密同步運動。首先必須保證光刻機的工作精度，芯片制造過程中需要經(jīng)歷多次曝光，這也就意味著必須要進行多次對準(zhǔn)操作。

 

　　一次對準(zhǔn)可能比較容易，但芯片的制造需要多次曝光多次對準(zhǔn)，在曝光完一個區(qū)域之后，放置硅晶圓的曝光臺就必須快速進行移動，接著曝光下一個需要曝光的區(qū)域，想要在多次快速移動中實現(xiàn)納米級別的對準(zhǔn)，難度就相當(dāng)大了。

 

　　總之，光刻機的整個生產(chǎn)制造過程，包涵了數(shù)學(xué)、電子光學(xué)、流體動力學(xué)、高分子物理化學(xué)、表層物理學(xué)與有機化學(xué)、儀器儀表、機械設(shè)備、自動化、圖像識別等多項行業(yè)頂尖技術(shù)，有人說甚至比造原子彈還要難。前路漫漫，期待科研部門盡快攻克一個又一個難關(guān)，同時也希望國家能重視基礎(chǔ)技術(shù)這塊，培養(yǎng)更多的技術(shù)人才，雖然成果慢甚至可能失敗，但卻是任何技術(shù)的基石，由衷地希望中國未來能領(lǐng)跑全球科技！