TrendForce報(bào)告稱，下一代HBM3和HBM3e內(nèi)存將主導(dǎo)人工智能GPU行業(yè)，尤其是在企業(yè)對(duì)整合DRAM的興趣顯著增加之后。現(xiàn)有的英偉達(dá)A100和H100 AI GPU分別采用HBM2e和HBM3內(nèi)存，它們分別于2018年和2020年亮相。美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）和三星（Samsung）等多家制造商正在快速開發(fā)用于大規(guī)模生產(chǎn)更快的新型HBM3內(nèi)存的設(shè)備，用不了多久，它就會(huì)成為新的基準(zhǔn)。
關(guān)于HBM3內(nèi)存，有一個(gè)普通的細(xì)節(jié)不為很多人所知。正如TrendForce所強(qiáng)調(diào)的那樣，HBM3將以不同的形式出現(xiàn)。據(jù)報(bào)道，低端HBM3將以5.6至6.4 Gbps的速度運(yùn)行，而高端變體將超過8 Gbps。高端變體將被稱為"HBM3P、HBM3A、HBM3+和HBM3 Gen2"。
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，HBM行業(yè)的市場份額必將大幅上升，而SK海力士則處于領(lǐng)先地位。預(yù)計(jì)未來的人工智能GPU，如AMDMI300 Instinct GPU和英偉達(dá)的H100，都將采用下一代HBM3工藝，而SK Hynix在這方面占據(jù)了先機(jī)，因?yàn)樗呀?jīng)進(jìn)入了制造階段，并收到了英偉達(dá)本身的樣品請(qǐng)求。
美光（Micron）最近也宣布了其未來的HBM4內(nèi)存設(shè)計(jì)計(jì)劃，但預(yù)計(jì)要到2026年才會(huì)實(shí)現(xiàn)，因此即將推出的代號(hào)為"GB100"的英偉達(dá)Blackwell GPU很可能會(huì)采用速度更快的HBM3變體，時(shí)間大約在2024-2025年之間。采用第五代工藝技術(shù)（10納米）的HBM3E內(nèi)存預(yù)計(jì)將于2024年上半年開始量產(chǎn)，三星/SK海力士預(yù)計(jì)都將加緊生產(chǎn)。
SK hynix率先推出12層HBM3內(nèi)存，每層24 GB容量，向客戶提供樣品
三星和美光（Micron）等競爭對(duì)手也在加足馬力，有多篇報(bào)道都圍繞著這兩家公司。據(jù)說，三星建議英偉達(dá)通過其部門負(fù)責(zé)晶圓和內(nèi)存的采購。與此同時(shí)，據(jù)報(bào)道美光已與臺(tái)積電合作，成為英偉達(dá)人工智能GPU的內(nèi)存供應(yīng)商。
在之前的報(bào)道中，我們根據(jù)TrendForce披露的數(shù)據(jù)討論了人工智能產(chǎn)業(yè)的前景。據(jù)預(yù)測，從2023年到2027年，人工智能服務(wù)器出貨量預(yù)計(jì)將增長15.4%，復(fù)合年增長率（CAGR）預(yù)計(jì)為12.2%。出貨量的大幅增長最終將導(dǎo)致公司之間的競爭加劇，最終推動(dòng)創(chuàng)新。
