IT之家12月11日消息，三星電子Foundry代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022年半導(dǎo)體EUV全球生態(tài)系統(tǒng)會議”上發(fā)表了演講。
他表示，到2026年，全球3納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場將達(dá)到242億美元規(guī)模，較今年的12億美元增長將超20倍。
目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn)3納米芯片的公司，隨著三星電子、臺積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn)EUV設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計(jì)3納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節(jié)點(diǎn)。
根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，截至今年年底，在晶圓代工市場中占據(jù)最大份額的是5納米和7納米工藝，市場規(guī)模369億美元，未來其份額將逐步由3納米所取代。他表示，“隨著14納米FinFET工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場的第二位。”
據(jù)稱，3納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)3nm工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的MBCFET技術(shù)，較FinFET性能功耗有明顯改善。
“就FinFET而言，性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因?yàn)樗鼈冊谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β省?rdquo;
具體來說，在FinFET技術(shù)中性能提升1.3倍但功耗也會隨著上漲2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍時(shí)，功耗只會增加1.6倍，相對來說效率更高。
