三星在今年6月末宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產(chǎn)3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)。三星表示，與原來采用FinFET的5nm工藝相比，初代3nmGAA制程節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進(jìn)，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

    雖然三星看似在3nm制程節(jié)點(diǎn)上先行一步，但實(shí)際生產(chǎn)上并非一帆風(fēng)順。據(jù)ctee報(bào)道，與之前的4/5nm工藝一樣，三星在3nmGAA工藝生產(chǎn)上同樣遇到了挫折，良品率僅為20%。正是由于三星在4/5nm工藝上糟糕的良品率，才迫使高通這樣的大客戶將旗艦SoC訂單轉(zhuǎn)投到臺(tái)積電（TSMC）。

    為了克服生產(chǎn)上遇到的重重障礙，傳言三星選擇與美國的SiliconFrontlineTechnology合作，以提高3nmGAA工藝的良品率。至于為什么會(huì)選擇這家公司，據(jù)稱是其通過ESD靜電及相關(guān)技術(shù)，以提高晶圓的良品率，似乎是個(gè)理想的合作伙伴。

    至于是否有實(shí)際收益，還要留意未來幾個(gè)月三星的晶圓代工情況，看看是否有客戶愿意下訂單采用三星的先進(jìn)工藝。有消息指出，如果三星的計(jì)劃取得成效，高通可能會(huì)重新選擇三星，在一些SoC上采用雙代工廠的做法，以便更好地控制產(chǎn)能和成本。