我國在半導(dǎo)體行業(yè)的起步相對比較晚，歐美日韓等企業(yè)已經(jīng)在相關(guān)領(lǐng)域布局了幾十年，我們想要靠短程賽跑去實現(xiàn)超越很難，互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)可以突破，但半導(dǎo)體行業(yè)靠的是產(chǎn)業(yè)鏈，需要布局?jǐn)?shù)年。
好在經(jīng)過近十年的努力，我們終于在半導(dǎo)體領(lǐng)域看到了星星之火，而且已經(jīng)迎來了可以燎原的趨勢，未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國企業(yè)在其中必定會起到至關(guān)重要的作用。
在國家和各界的關(guān)注下，這幾年半導(dǎo)體行業(yè)的投資金額逐年提升，僅2021年就有資本融資686起，獲得投融資金額2013.74億元，截至2022年6月底，中國芯片半導(dǎo)體公司數(shù)量已達(dá)2904家。
這其中不乏一些已經(jīng)做到了行業(yè)頭部的企業(yè)，像我們熟悉的中芯國際、華為海思、紫光展銳、長江存儲等，這些企業(yè)所掌握的技術(shù)，均達(dá)到了國際先進(jìn)水平，甚至有些已經(jīng)做到了全球領(lǐng)先。
2016年成立的長江存儲在閃存芯片領(lǐng)域，就實現(xiàn)了階梯性的跨越，原本國內(nèi)科技公司做電子產(chǎn)品，都需要向美國、韓國企業(yè)購買閃存，但長江存儲現(xiàn)在已經(jīng)做出了UFS3.1通用閃存。
今年4月，長江存儲就推出了UC023閃存，這是長江存儲打造的一款UFS3.1旗艦級高速閃存芯片，這款產(chǎn)品連續(xù)讀取速度可達(dá)2000MB/s，寫入速度最高可達(dá)1250MB/s。
要知道三星的512GBUFS3.1閃存的讀取速度是2100MB/s，寫入速度是1200MB/s，長江存儲推出的UFS3.1閃存，在讀寫速度上都已經(jīng)向三星看齊了。
更關(guān)鍵的是，如今長江存儲又在閃存芯片技術(shù)上實現(xiàn)了一項新突破，近日長江存儲完成了232層3DNAND閃存生產(chǎn)，成為了全球首個實現(xiàn)量產(chǎn)200層以上3DNAND的廠商。
有機(jī)構(gòu)拆解了首款采用232層3DNAND顆粒的固態(tài)硬盤，通過拆解?？低暤腃C7002TB的固態(tài)硬盤分析發(fā)現(xiàn)，這款產(chǎn)品就是用的長江存儲232層3DNAND顆粒。
這意味著，長江存儲確實已經(jīng)完成了232層3DNAND閃存的量產(chǎn)，國產(chǎn)芯片又取得了新的突破。
要知道，3DNAND閃存技術(shù)做到128層就已經(jīng)頗具挑戰(zhàn)了，三星、SK海力士、美光等企業(yè)花了數(shù)年時間才達(dá)到了這個水平，長江存儲再次向外界證明了什么是中國速度。
2016年成立的長江存儲，次年就完成了32層NAND閃存的小批量生產(chǎn)，2019年又順利攻克了64層NAND閃存的批量生產(chǎn)，打破了閃存芯片被外企壟斷的困境。
而且長江存儲的64層NAND閃存可媲美競品的96層3DNAND閃存，主要原因就是長江存儲自創(chuàng)的X-tacking架構(gòu)起到了巨大作用。
據(jù)悉，X-tacking架構(gòu)可以在開發(fā)產(chǎn)品時將時間縮短90天，產(chǎn)品生產(chǎn)周期可以縮短20%，單位面積存儲密度可達(dá)到競品的96層3DNAND閃存水平。
長江存儲靠著這項原創(chuàng)技術(shù)，直接跳過了96層，直升到了128層技術(shù)，并推出了成熟的產(chǎn)品，而現(xiàn)在長江存儲又突破了200層技術(shù)，真是可喜可賀。
事實上長江存儲做出232層3DNAND閃存之前，美國存儲芯片巨頭美光科技曾表示，要成為全球首個量產(chǎn)232層3DNAND閃存的企業(yè)，但卻遲遲沒有消息。
千等萬等，如今卻等來了中企的突破，真的是振奮人心，不過長江存儲的突破卻讓美國人急了，逼得美國兩黨很著急，并施壓美商務(wù)部采取行動。
最后再分享一個笑話，這兩年是不是很少看到三星、美光、海力士它們的工廠失火了，失火只是借口，漲價才是目的，如今有了國產(chǎn)長江存儲，它們想漲價也漲不上去了。
不得不說，長江存儲作為后起之秀，卻一次次地放出王炸，讓我們看到了國產(chǎn)芯片的希望，如果中國企業(yè)中還能出現(xiàn)幾家像長江存儲這樣的企業(yè)，未來我們何懼被卡脖子。
