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創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來 ——三菱電機(jī)即將亮相PCIM Asia 2025

   日期:2025-09-04     來源:中國機(jī)器人網(wǎng)     評(píng)論:0    
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“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正成為高能效家電與新能源汽車發(fā)展的核心引擎。2025年9月,三菱電機(jī)將攜最新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品亮相 PCIM Asia 2025(上海),全面展示其在SiC MOSFETIGBT等前沿器件上的創(chuàng)新成果,并于 9月24日舉辦三菱電機(jī)半導(dǎo)體媒體見面會(huì),與行業(yè)共同探討功率半導(dǎo)體技術(shù)如何助力綠色未來。

本屆PCIM展會(huì)上,三菱電機(jī)將重點(diǎn)展出三大明星產(chǎn)品:

面向大容量家電的SiC SLIMDIP? 功率半導(dǎo)體模塊

作為三菱電機(jī)首款面向家電應(yīng)SiC SLIMDIP?模塊,該系列包括 全SiC DIPIPM?與混合SiC DIPIPM? 兩類創(chuàng)新設(shè)計(jì):

· SiC SLIMDIP?
內(nèi)置專為SLIMDIP?封裝優(yōu)化的SiC-MOSFET芯片,能夠在家電應(yīng)用中顯著提升輸出功率與能效。該方案有效降低功率損耗,為空調(diào)等家電提供高效解決方案。

· 混合SiC SLIMDIP?
通過同一IC驅(qū)動(dòng)并聯(lián)的SiC MOSFET(低電流下具備低導(dǎo)通電壓特性)和Si RC-IGBT(高電流下保持優(yōu)異導(dǎo)通特性),實(shí)現(xiàn)低功率損耗與穩(wěn)定性能兼顧。
這一創(chuàng)新架構(gòu),使家電廠商在追求節(jié)能的同時(shí),也能保持高可靠性與成本競爭力。

該系列產(chǎn)品為家電節(jié)能升級(jí)注入全新動(dòng)力,進(jìn)一步推動(dòng)家庭用能與社會(huì)能源的綠色轉(zhuǎn)型。

 

8代IGBT 模塊

三菱電機(jī)全新推出的第8代IGBT模塊,重點(diǎn)突破在于更高功率密度、更低損耗、更優(yōu)散熱:

· 技術(shù)創(chuàng)新

采用分段式溝槽柵結(jié)構(gòu),降低導(dǎo)通損耗;

芯片背面等離子體層結(jié)構(gòu)減少厚度,進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)特性;

擴(kuò)大芯片面積,有效降低結(jié)殼熱阻。

· 性能提升

8代LV100封裝產(chǎn)品:由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A;

8代NX封裝規(guī)劃開發(fā)5款不同規(guī)格產(chǎn)品,包括 1000A/1200V半橋、800~1000A/1200V Split-NPC(半橋+鉗位二極管) 等。

憑借更強(qiáng)的電流承載力與熱管理能力,第8代IGBT模塊可充分適配高功率場景下的性能需求,將廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、軌道交通、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率場景,為用戶提供更高效可靠的解決方案。

 

面向電動(dòng)汽車的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半導(dǎo)體模塊

隨著電動(dòng)汽車對(duì)高功率密度與高可靠性需求的提升,三菱電機(jī)重磅推出 J3系列SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體模塊,包括:

· J3-T-PM半橋模塊

采用緊湊的第3代T-PM封裝,具備高散熱能力與低熱阻特性;

內(nèi)置高可靠性SiC-MOSFET芯片,獨(dú)特溝槽柵設(shè)計(jì)可抑制Vth漂移與損耗退化;

適配逆變器小型化需求,并可多模塊并聯(lián),擴(kuò)展功率范圍。

· J3-HEXA 全橋模塊

可覆蓋電動(dòng)車不同容量等級(jí)的逆變器應(yīng)用;

支持高功率電驅(qū)系統(tǒng),滿足電動(dòng)車高速運(yùn)行下電驅(qū)系統(tǒng)的穩(wěn)定性需求。

· J3繼電器模塊

基于J3-T-PM緊湊型封裝和溝槽柵SiC MOSFET的超低損耗,專為電池?cái)嗦穯卧扒袚Q/斷開回路設(shè)計(jì);

提供雙向與單向開關(guān)兩種結(jié)構(gòu),內(nèi)置快速短路保護(hù),實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車電控系統(tǒng)的高安全性。

J3系列憑借高能量密度與高擴(kuò)展性,為新能源汽車的輕量化、小型化與高性能提供堅(jiān)實(shí)支撐。

 

媒體見面會(huì)預(yù)告

主題:創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來

時(shí)間:2025年9月24日14:00

地點(diǎn):上海卓美亞喜瑪拉雅酒店

屆時(shí),三菱電機(jī)將攜研發(fā)專家及行業(yè)合作伙伴,共同分享三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體的最新成果、功率半導(dǎo)體技術(shù)的未來趨勢與應(yīng)用展望。


報(bào)名通道:


(請(qǐng)?zhí)崆巴瓿蓤?bào)名,席位有限,先到先得)




三菱電機(jī)期待與您在PCIM Asia 2025相遇,共同見證功率半導(dǎo)體的最新突破!

 


 
 
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