IT之家3月13日消息，路透社表示，三星電子將采用競爭對手SK海力士主導(dǎo)的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)。
三位直接知情人士稱，三星已經(jīng)發(fā)出了處理MR-MUF技術(shù)的設(shè)備采購訂單。“三星必須采取一些措施來提高其HBM良率……采用MUF技術(shù)對三星來說有點像是拋棄自尊心的決定，因為這相當(dāng)于效仿了SK海力士的行為。”
有分析師表示，三星的HBM3芯片生產(chǎn)良率約為10-20%，而SK海力士的HBM3生產(chǎn)良率約為60-70%。隨著AI行業(yè)的火熱，業(yè)界對于HBM3和HBM3E需求越來越高，三星必須盡快做出改變。
消息人士稱，三星還在與包括日本長瀨集團在內(nèi)的材料供應(yīng)商洽談采購MUF材料的事宜，但使用這一技術(shù)的高端芯片最早要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn)，因為三星還需要進行大量測試。IT之家注：長瀨產(chǎn)業(yè)株式會社是擁有近200年歷史的日本十大商社之一，是全世界最大的專業(yè)化工商社。
三位消息人士還表示，三星計劃在其最新的HBM芯片中使用NCF和MUF技術(shù)。
三星回應(yīng)稱，其內(nèi)部開發(fā)的NCF技術(shù)是適用于HBM產(chǎn)品的“最佳解決方案”，并將用于其HBM3E芯片，后續(xù)“將按照計劃推進HBM3E產(chǎn)品業(yè)務(wù)”，而英偉達和長瀨拒絕置評。
