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納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSenseControl合封氮化鎵芯片,引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度

   日期:2023-03-30     來源:牛遍滿市     評論:0    
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  唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者—納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)發(fā)布全新GaNSenseControl合封氮化鎵功率芯片,帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。
 
  氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓(HV)硅(Si)功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。采用了氮化鎵的充電器,能在尺寸和重量減半的前提下,實現(xiàn)高達(dá)3倍的功率處理能力或快3倍的充電能力。在電源系統(tǒng)中,一個優(yōu)化的高頻低壓(LV)硅系統(tǒng)控制器必不可少。納微不僅開發(fā)了這樣的控制器還將其與其高性能的氮化鎵芯片集成在一起,推出了業(yè)界首創(chuàng)的GaNSenseControl合封氮化鎵功率芯片技術(shù)。
 
  初代GaNSenseControl合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準(zhǔn)諧振(HFQR)反激,支持QR、DCM、CCM和多頻率、混合模式運行,頻率高達(dá)225kHz。從單個采用表面貼片的QFN封裝(NV695x系列)到以芯片組(NV9510x+NV61xx),可最大化電路設(shè)計的靈活性。在副邊,與傳統(tǒng)整流器相比,集成了同步整流器(SR)的氮化鎵功率芯片(NV97xx),可在任何負(fù)載條件下實現(xiàn)最大效率。
 
  GaNSenseControl合封芯片集成了無損電流檢測、高壓啟動、抖頻、低待機功率、寬Vdd輸入電壓的特性,能在元件更少,無電流采樣電阻熱點的前提下,帶來小巧、高效、溫控更優(yōu)的系統(tǒng)。此外,一系列的集成保護(hù)功能包括800V瞬態(tài)電壓擊穿、2kVESD及智能的過壓、過流、過溫保護(hù)帶來了更穩(wěn)固的功率芯片和可靠的電源系統(tǒng)。
 
  納微半導(dǎo)體發(fā)布全新GaNSenseControl合封氮化鎵芯片,引領(lǐng)氮化鎵邁入集成新高度-充電頭網(wǎng)
 
  GaNSenseControl合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機、平板電腦和筆記本電腦充電器,消費電子和家用電器、銷售終端機、大功率數(shù)據(jù)中心和400V電動汽車系統(tǒng)中的輔助電源。目前,發(fā)貨量已經(jīng)超過100萬片。
 
  “我們將高頻、模擬和混合信號的硅控制器,戰(zhàn)略性地加入到與現(xiàn)有的氮化鎵、碳化硅和數(shù)字隔離技術(shù)平臺中去,為更優(yōu)的電源系統(tǒng)奠定了設(shè)計基礎(chǔ),增加了每年10億美元的市場機遇。我們先為GaNSenseControl合封氮化鎵功率芯片錨定了移動快充、家用電器以及數(shù)據(jù)中心輔助電源的市場方向。未來,我們將擴大版圖至更高功率的清潔能源、儲能和電動汽車領(lǐng)域。納微半導(dǎo)體在這些市場中具備獨有的優(yōu)勢——憑借先進(jìn)的系統(tǒng)設(shè)計中心,影響客戶的系統(tǒng)架構(gòu)選擇。由此,無論在下一代功率半導(dǎo)體中選擇氮化鎵還是碳化硅,我們都將具備最大化系統(tǒng)優(yōu)勢。”
 
  關(guān)于納微半導(dǎo)體
 
  納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)成立于2014年,是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利,其中,氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆,碳化硅功率器件發(fā)貨超900萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral®認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
 
  納微半導(dǎo)體、GaNFast、GaNSense、GeneSiC以及納微標(biāo)識是NavitasSemiconductor及其子公司的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標(biāo)志都是或可能是各自所有者用于標(biāo)識產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。
 
 
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