離散型驅(qū)控方案

這種“離散”型的組合方式，即各個器件部分都是分立的，從MCU到柵極驅(qū)動器到MOS。這種離散的組合方式很好理解，屬于入門級的玩法。三個組合部分相互分立，保證了各個部分的靈活性，比如功率管有新的型號可以直接進行替換，整體的方案不需要大改動。

這種驅(qū)動組合方案對于步進電機，BDC以及三相無刷直流電機可以提供拓展性很高的產(chǎn)品組合。上圖就是一個步進電機驅(qū)動的離散實現(xiàn)。每個繞組的自由端子分別連接獨立功率開關(guān)，電流沿一個方向在電機繞組中流動。二極管用于鉗位關(guān)斷時開關(guān)兩端的電壓。

這種玩法的弱勢之處顯而易見，分立的器件無法做到高集成度和高緊湊性。這會使得PCB的空間占比很高。

智能集成型驅(qū)控方案

智能集成指的是將MCU與柵極驅(qū)動器進行集成，成為一個整體的模塊。集成后的模塊與功率器件配合完成電機的驅(qū)控。

這種集成方式應該是最節(jié)省PCB空間的方式，從ST的STSPIN32來看這種高集成度大約節(jié)約了80%的空間，同時在電路上復雜度也會降低不少。

這種集成模式的缺點就在于，在MCU的選擇上很有限，就STSPIN32這個系列而言ST也就出了兩款低壓和一款高壓的選擇。這種集成模式一般都用于高級BLDC控制。

功率集成型驅(qū)控方案

最后這一種玩法也就是將柵極驅(qū)動器與功率管進行集成。這種集成方式也會大幅節(jié)省PCB空間，雖然不及MCU＋柵極驅(qū)動集成節(jié)省80%的空間那么大，做到節(jié)省60%還是沒問題的。這種集成雖然沒有了在MCU選擇上的限制，但是相應的，在電源設(shè)備選擇上就不那么靈活了。同時，功率集成的成本在這些玩法中是最高的。

PWD5F60就是集成了柵驅(qū)動器和雙半橋四個N通道功率MOSFETs功率集成器件。從這個器件的性能來說，集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS（ON） 和600 V漏極—源極擊穿電壓，自舉二極管則提供上橋臂的柵極驅(qū)動。這種器件的高集成度可以在狹小的空間內(nèi)有效地驅(qū)動負載。一般這種功率集成器件都會在下部和上部驅(qū)動部分都具有UVLO保護功能， 可防止電源開關(guān)在低效率或危險條件下工作。

犧牲電源設(shè)備的選擇靈活性，以及功率集成帶來的高昂成本，這種玩法帶來的是極領(lǐng)先的EMI性能。

寫在最后

這三種模式覆蓋了從MCU到柵極驅(qū)動器到功率管的分立以及集成玩法，各玩法的優(yōu)勢都很突出，而相應的劣勢在對比下也極為明顯。如何根據(jù)電機應用方向從設(shè)計上選取匹配的玩法才是控制上最優(yōu)的選擇。