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國產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

   日期:2025-06-04     來源:中國機(jī)器人網(wǎng)     評論:0    

        近日,中科無線半導(dǎo)體有限公司宣布,其基于氮化鎵(GaN)HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已正式推出并商用,是專業(yè)為具身機(jī)器人、工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療機(jī)器人關(guān)節(jié)上的執(zhí)行器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)而定制化設(shè)計(jì),是中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族中的“機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列”成員


        本次量產(chǎn)分別是(CT-1906全集成、CT-1904拓?fù)湓O(shè)計(jì)、CT-1902單集成)三個(gè)不同應(yīng)用場景的高性價(jià)比型號(hào)。驅(qū)動(dòng)能力涵蓋了“無框力矩電機(jī)、RV減速機(jī)、諧波減速機(jī)、行星減速機(jī)、擺線針輪減速機(jī)、行星滾柱絲杠、軸承組件、伺服電機(jī)、液壓執(zhí)行器和氣動(dòng)執(zhí)行器的高功率密度場景”該芯片展現(xiàn)出了廣闊的應(yīng)用前景。標(biāo)志著中科半導(dǎo)體在機(jī)器人ASIC動(dòng)力系統(tǒng)芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破





        該系列芯片在高溫環(huán)境下展現(xiàn)出更穩(wěn)定的性能,具有更小的體積、更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的開關(guān)損耗。其優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠有效降低熱管理需求,提高系統(tǒng)緊湊度,便于機(jī)器人關(guān)節(jié)實(shí)現(xiàn)高效率與小尺寸的模塊化設(shè)計(jì)。這一特性使得機(jī)器人重量得以降低,進(jìn)而提升了機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)姿態(tài)穩(wěn)定性。





        本次發(fā)布的正式商用型號(hào)為CT-1906,LGA封裝集成了6個(gè)GaN HEMT(三相半橋拓?fù)洌┡c3路獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器,支持80V連續(xù)電壓/100V瞬態(tài)電壓、60A持續(xù)電流輸出以及5MHz的開關(guān)頻率。同時(shí),中科半導(dǎo)體還同步推出了CT-1904、CT-1902系列,通過統(tǒng)一器件規(guī)格(GaN FET性能、封裝工藝)與分級(jí)集成策略,降低了客戶多平臺(tái)開發(fā)成本,實(shí)現(xiàn)從“全集成”到“可擴(kuò)展”的無縫銜接,滿足了工業(yè)自動(dòng)化、新能源設(shè)備及具身智能領(lǐng)域的差異化需求。


        技術(shù)優(yōu)勢


        該芯片具有高集成度、高可靠性、低功耗以及全面的保護(hù)機(jī)制。采用半橋拓?fù)潢嚵?/span>GaN HEMT器件,大幅縮小了半橋驅(qū)動(dòng)電路的體積,實(shí)現(xiàn)了小體積大能量的目標(biāo),是小尺寸、高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)的首選。


        高效能轉(zhuǎn)換


        芯片實(shí)現(xiàn)了開關(guān)頻率1MHz以上,能量轉(zhuǎn)換效率高達(dá)98.5%,較傳統(tǒng)Si基方案提升了40%。同時(shí),溫升ΔT≤25K@滿載,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。


        聯(lián)系方式


        中科無線半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)致力于為全球客戶提供高可靠、可定制的機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片解決方案。全系產(chǎn)品支持評估板申請與深度技術(shù)協(xié)作。如需獲取完整技術(shù)資料或定制需求對接,請?jiān)L問官網(wǎng)產(chǎn)品中心:(http://www.ctunite.com) 或聯(lián)系技術(shù)支援郵箱:sales1@ctunite.com(注明“GaN驅(qū)動(dòng)器系列芯片咨詢”)。

 
 
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